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このページでは、「アクティブな電子部品」というシンプルなフレーズの背後にある広大な世界のすべての人に適した言葉で定義しようとします。それは簡単な作業ではありませんが、試してみます。 もちろん、他のページですでに述べたように、この小さなテキストで非常に広大な主題を要約することは不可能ですが、深化する場合や専門家のアドバイスが必要な場合は、連絡先ページから私に連絡することができます。

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                                                                             アクティブな電子部品

パッシブコンポーネントは次元的および定性的な進化しかありませんでしたが、それどころか、アクティブコンポーネントは時間の経過とともに実際の地震を経験し、システム全体と生産コンセプトが消え、他の革新的な生産システムとコンセプトに置き換えられ、熱電子から移行しました（または真空）コンポーネントを1960年頃にソリッドステートシステムに追加しました。これにより、現在見られるすべてのもの（スマートフォン、液晶TV、パーソナルコンピューター、タブレット）を作成できる革命が始まりました。

次に、主なアクティブコンポーネントについて説明します。これらは、変圧器、熱電子管（バルブとも呼ばれます）、トランジスタ、および集積回路です。

変圧器は「可動部品のないアクティブな機械」と定義され、積層のパックに取り付けられ、コアによって分離された銅線の2つのコイルによって形成されます（説明の最後の画像を参照）。コイルは「プライマリ」と呼ばれます。動作方向に応じて、他の「セカンダリ」。変圧器は、電磁誘導の法則（ファラデー-ノイマン-レンツの法則）を介して、値（変換比）、電圧、および電流を増減することによって転送することを可能にします。また、回路間の物理的な分離を保証します。は接触せず、プロのオーディオ機器のインピーダンスアダプターとしても機能します。変圧器のサイズは、電流とそれが管理しなければならない電圧に依存し、動作電圧と電流値は通常、変圧器自体に直接印刷されます。

                         さまざまな二次（黄色のワイヤー）                                                                                                                   を備えた低電圧変圧器変圧器の電気記号

                               三相高圧用ポールトランス                                                                                                                                                                  動作原理

                                                                  アクティブバキュームコンポーネント

熱電子管または電子管は、電子信号の増幅と処理を可能にする最初のアクティブコンポーネントであり、テレビ、ラジオ、送信機、さらには（巨大なサイズの）コンピューターでさえもそれらを使用して作られました。それらは、白熱タングステンフィラメントによって加熱される特定の材料で作られた負に分極された「カソード」と呼ばれる電極による真空中の電子の放出からなる熱電子効果を利用します。真空それらは特に障害がなく、アノードまたはプレートと呼ばれる別の正に分極された電極によって引き付けられ、収集されます。これは熱電子ダイオードであり、電流によって通過するコンポーネント（固体バージョンではシリコンダイオードとして利用可能）です。一方向のみ（直接バイアス）で、他方向ではありません（逆バイアス）。
アノードとカソードの間にグリッドと呼ばれる第3の電極を追加し、それをわずかに負の方法で分極すると、真空中を移動する電子の流れを制御および変調できます。アノード上で非常に広いグリッドが得られるため、最も単純な熱電子デバイスである三極真空管を作成しました。また、電気信号を増幅できる最初のデバイスであり、電極は真空が行われたガラス球に囲まれています。得られた。さらに詳しい情報が必要な場合は、連絡先セクションにアクセスしてください。

マルチグリッドチューブは、特定のニーズを満たすために製造されました。四重管（2グリッド）、五極管（3グリッド）、およびアンプラ内に真空ではなく希薄ガスを含むチューブです。
ほとんどすべてのアプリケーションでソリッドステートデバイスに置き換えられていますが、高周波ハイパワーアンプやハイエンドハイファイアプリケーションなど、特定のまろやかで純粋なサウンドを実現するための一部の機器では、引き続きかけがえのないものになっています。 。私たち全員が家に持っているマイクロ波オーブンでさえ、食物を調理する非常に短期間の排出物を生成する高出力バルブがあります。 そして、数年前までCRT TVで素晴らしい画像を見ることができたブラウン管は、スクリーンが陽極として機能するバルブでした。

                 ラジオおよびハイファイアプリケーション用の熱電子管                                                                                                                   真空三極真空管の電気記号

                                                                                                                                             三極真空管の動作原理

                                                                半導体またはソリッドステートデバイス。

それらは、半導体材料（ゲルマニウム、シリコン、または人工半導体）を適切にドープ（不純物を導入）することによって構築された特定のアクティブな電子コンポーネントであり、半導体は正に帯電したP型不純物（正孔または電子の欠如）または負に帯電したN型でドープされます（過剰な電子）、P帯電した半導体と別のN帯電した半導体との接触はPNタイプの接合を生成し、接触領域では、中性を回復しようとして電荷の交換により空乏と呼ばれる電流が生成されますしたがって、接点の近くに中性ゾーンを作成し、接点自体に小さな絶縁層を作成します。なお、直射日光に当たるPN接合は、接触部に0.6Vの電圧を発生させることができるため、多くの接合（直列および並列）を適切に配置することにより、光起電力効果のある太陽電池になります。方法。彼らは現在生産工場で使用されている光起電力パネルを手に入れます。さらに詳しい情報が必要な場合は、お問い合わせページにアクセスしてください。

PN接合の特性を使用して、ソリッドステートダイオード、トランジスタ、MOSFET、JFET、UJTなど、最新の電子機器の基礎となるすべてのコンポーネントを取得できます。これらのコンポーネントは、個別の形式、つまり単一の形式で作成できます。特定の特性を備えたコンポーネント、または集積回路として、または適切な方法でドープされた半導体結晶により、非常に小さなスペースでパッシブコンポーネントとアクティブコンポーネントの完全な回路を取得でき、材料と時間を大幅に節約できます。さまざまな種類の半導体部品の近くからもっと知ることができます。画像をクリックすると拡大します

                                          P-N接合の図解                                                                                                                P-N接合の適切な接続によって得られた太陽電池

半導体ダイオードは、その既知の特性により、単一のP-N接合を使用します。これは、電圧をどのように印加するかに応じて、電流が交差するかどうかに応じて変化します。 2つの外部接続があります。1つはドープされた半導体P（アノード）に、もう1つはNに接続します（カソード）。正極の電圧をアノードに、負極の電圧をカソードに印加すると、ダイオードは電流が通過する（直接バイアス）場合、代わりに極を反転すると、電流はダイオードを通過できなくなり（逆バイアス）、電源の整流器、スイッチ、検出器、および保護として使用されます（ヒューズと組み合わせて）電源の逆極性から。
ダイオードのしきい値電圧は、シリコンのものでは0.6V、ゲルマニウムのものでは0.2Vであることに注意してください。つまり、ダイオードの両端の電圧がこの値を超えない場合、ダイオードはオープンスイッチ（電流が流れない）、シリコンのように動作します。より低いしきい値のダイオード（ショットキーダイオード）が製造され、それらの両端の電圧を変化させることによって可変コンデンサとして使用されるダイオード（バリキャップダイオード）と、ゼナーダイオードと呼ばれる特定の電圧安定化ダイオードが製造されます。 L.E.D.は言うまでもありません（発光ダイオード）、PN接合部から光を放出し、特殊なレンズによって増幅される特定のダイオードは、非常に低い消費電流と生成できる特定の光のおかげで、照明セクターに革命をもたらしています。放出される光の増加と白色光の達成に伴って進化し、現在すべてのタイプと色のランプが製造されており、最新世代のテレビのLCD（エッジLED）画面にバックライトを提供しています。

                        実際のダイオード、白い帯は陰極です                                                                                                                 配線図で使用されているダイオードの記号

                                           各種LED                                                                                                                                                             LEDダイオードの内部図と記号 

従来のバイポーラトランジスタまたはBJT（バイポーラ接合トランジスタ）は、2つのPN接合（下図を参照）によって形成されるコンポーネントであり、正の電流で動作するPNPタイプ（電子正孔）または電流タイプで動作するNPNタイプのいずれかです。負（電子）であり、ベース、コレクター、エミッターと呼ばれる3つの端子があります（電気記号で矢印で示されています）。 1946年にベル研究所で研究者のウォルター・ブラッテン、ジョン・バーディーン、ウィリアム・ショックリーによって発見され、彼らは現代の電子機器を生み出しました。
トランジスタは、熱電子三極真空管など、印加された信号を増幅できるアクティブコンポーネントですが、多くの利点があり、主なものは固体であるため機械的に破壊するのが難しいことです。チューブ、それは端で低電圧で動作し、その統合は比較的簡単であり、さらにそれはフィラメントの張力を必要としません。非常に概略的には、その動作はこのように定義できます。「エミッターによって放出された電子はベースによって調整され、次にコレクターによって収集されます」。実際には、エミッター電流Ieは、ベースIb、最後にコレクター上で、調整および増幅された電流Icを見つけます。
トランジスタが正しく動作するには、抵抗やコンデンサなどのパッシブ電子部品を使用して、必要な動作のタイプに応じて正しい方法で分極する必要があります。
トランジスタは、増幅器、スイッチ、発振器、レギュレータ（ツェナーダイオードと組み合わせて）および他の多くのアプリケーションとして使用されます。ソリッドステートコンポーネント技術が進歩するにつれて、JFET接合型電界効果トランジスタ、金属MOSFETなど、一部のアプリケーション向けに最適化された他のトランジスタが導入されました。-酸化物-半導体電界効果トランジスタ（電圧コマンド、高入力インピーダンス、低チャネル抵抗のスイッチ直接バイアスされている場合）およびUJTまたはユニジャンクション（パルス発振器）。
トランジスタは、必要な消費電力とヒートシンクの可能な用途に応じて、金属製またはプラスチック製の容器に封入されています。

                     半導体バーから得られるBJTNPNトランジスタ                                                                                            BJT NPNトランジスタの記号（PNPは逆矢印で表されます）

                      TO220パッケージのパワートランジスタ                                                                                                                     TO92パッケージの小信号トランジスタ

              TO18パッケージの小信号トランジスタ                                                                                                                      2N3055TO3パッケージの金属パワートランジスタ

最後に、モノリシック集積回路は、半導体チップの領域を適切な方法でドープすることによって作成され、詳細には、多かれ少なかれ導電性不純物を導入することによって、絶縁体または導体（または所望の値の抵抗器）が作成され、タイプPの不純物が作成されますまたはNは、目的の特性を備えたトランジスタを作成します。そうすることにより、動作に必要なコンポーネントを外部に接続できるように、端子を使用して外部からアクセスできる小さな半導体チップ上に複雑な回路が得られます（インダクタンス、コンデンサ、抵抗など）。
非常に複雑な機能を実行するアナログとデジタルの集積回路があります。それらのおかげで、電子回路が小型化され、結果がすべての人に見えるようになりました。タブレットやスマートフォン、電子技術の本当の奇跡を考えてみてください。集積回路はまた、コンテナなしで通常のコンポーネントで構築され、プラスチックコンテナに封入され、単純な機能を実行するように製造されます。これらのタイプのコンポーネントは「ハイブリッド集積回路」と呼ばれます。 STKシリーズのハイブリッドアンプは非常に一般的な例です。
アクティブなコンポーネントの特性を知るには、関連するデータシートが必要です。データシートは、コンポーネントの最大および最小動作パラメータに関するすべての情報を見つけることができるメーカーによって発行された情報シートであり、実現の例でさえ、あなたができるほとんどすべてのアクティブなコンポーネントのデータシートを見つけることができる優れたサイトですこのリンクで見つけてください。代わりに、このリンクをマウスでクリックすると、長年侵害されてきた有名なコンポーネントである、約10ワットを生成できる奇妙な低周波増幅器TDA2003のわかりやすいデータシートを表示できます。いくつかの外部コンポーネントを使用して、データシート、コンポーネントの内部回路図、および構築例にもそれがあります。

                             デュアルインラインデジタル統合                                                                                                                  デュアルインラインSMD統合システム

                          統合電圧レギュレータ5Vマイナス                                                                                                                             統合デジタルフラットパックSMD

もちろん、これらすべての概念を小さなスペースに凝縮することは不可能です。私のものは、この素晴らしい世界に直面する人々のための良いガイドになりたいだけです。それでも、私に連絡することで、専門家のアドバイスを深めたり、要求したりすることができます。ページ 連絡先。

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